{"product_id":"ieej-spc09130","title":"四半世紀に亙るIGBT技術開発の軌跡(1984年～2009年)","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC09130\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/10\/29\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eMilestones along the IGBT development through the last 25 years(1984-2009)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e戸倉 規仁(デンソー)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNorihito Tokura(DENSO CORPORATION)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワー半導体デバイス|IGBT|ノンラッチアップ|IEGT|NPT-IGBT|FS-IGBT|pinダイオード|バイポーラトランジスタ|Power Semiconductor Device|IGBT|Non-Latch-Up|IEGT|NPT-IGBT|FS-IGBT|pin Diode|Bipolar Transistor\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,161 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 11","offer_id":46372959289583,"sku":"IEEJ-SPC09130-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_d1a90bb1-39e9-4d3c-a2b8-1b426549c378.png?v=1744007098","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc09130","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}