{"product_id":"ieej-spc09132","title":"トレンチ型埋め込み酸化膜を備えたSOI Lateral-IGBT.Diodeの過渡特性解析","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC09132\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/10\/30\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eAnalysis of transient characteristics of Lateral-IGBT.Diode in silicon on insulator characterized by trenched buried oxide structure\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e芦田 洋一(デンソー),高橋 茂樹(デンソー),白木 聡(デンソー),戸倉 規仁(デンソー)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYouichi Ashida(DENSO CORPORATION),Shigeki Takahashi(DENSO CORPORATION),Satoshi Shiraki(DENSO CORPORATION),Norihito Tokura(DENSO CORPORATION)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSOI|L-IGBT|Diode|ターンオン|ターンオフ|デバイスシミュレーション|SOI|L-IGBT|Diode|turn-on|turn-off|Device Simulation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e853 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46372959420655,"sku":"IEEJ-SPC09132-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_9a367563-e33a-4941-9cbe-d10468c67e09.png?v=1744007104","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc09132","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}