{"product_id":"ieej-spc09139","title":"高耐圧MOSトランジスタの端子間容量測定","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC09139\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/10\/30\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eMeasurement of Terminal Capacitances of High Voltage MOS power transistors\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e舟木 剛(大阪大学),パンコーンナタパット (京都大学),引原 隆士(京都大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTsuyoshi Funaki(Osaka University),Phankong Nathabhat(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e端子間容量|Cgs|Cgd（Crss）|Cds|Ciss|Coss|Terminal capacitance|Cgs|Cgd(Crss)|Cds|Ciss|Coss\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e802 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46372960010479,"sku":"IEEJ-SPC09139-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_010c00b9-639e-4ce0-b124-fc0eb00f53a3.png?v=1744007125","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc09139","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}