{"product_id":"ieej-spc10151","title":"アノード構造を改良した高速・高破壊耐量ＳＯＩ横型ダイオードの開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC10151\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2010\/11\/29\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopment of high speed and highly rugged SOI lateral diode with improved anode structure\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e鈴木 隆司(豊田中央研究所),木村 大至(豊田中央研究所),櫻井 晋也(デンソー),高橋 茂樹(デンソー),白木 聡(デンソー),戸倉 規仁(デンソー),杉山 隆英(豊田中央研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eSUZUKI TAKASHI(TOYOTA central R\u0026amp;D Labs.,inc.),KIMURA TAISHI(TOYOTA central R\u0026amp;D Labs.,inc.),SAKURAI SHINYA(DENSO CORPORATION,Kota Plant),TAKAHASHI SHIGEKI(DENSO CORPORATION,Kota Plant),SHIRAKI SATOSHI(DENSO CORPORATION,Kota Plant),TOKURA NORIHITO(DENSO CORPORATION,Kota Plant),SUGIYAMA TAKAHIDE(TOYOTA central R\u0026amp;D Labs.,inc.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＳＯＩ|インバータ|横型ダイオード|逆回復|高破壊耐量|アノード|SOI|inverter|lateral diode|reverse recovery|highly ruggedness|anode\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e低注入効率と電界緩和を図った新しいアノード構造を備えた横型ＳＯＩ高速ダイオードを開発した。600V-2A定格の試作素子（セル面積=0.69mm2）において、(1)順方向電圧降下は1.70V（at 2A），(2)di\/dt=-41A\/μsの場合の逆回復特性はIRM=-1.8A，Qrr=0.24μC，trr=0.2μs，ダイナミックアバランシェの発生無し，(3)di\/dt=-360A\/μsまで破壊なし，という良好な特性を示した。更に，シミュレーションにより，新しいアノード構造の効果を検証した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eWe have developed the high speed and highly rugged SOI lateral diode with improved anode structure. The fabricated 600V-2A rated device with cell area of 0.69mm2 shows its excellent characteristics as follows; (1) Forward voltage drop is 1.70V at 2A. (2) Reverse recovery characteristics under the condition of di\/dt=-41A\/μs are IRM=-1.8A, Qrr=0.24μC, trr=0.2μs, and no dynamic avalanche. (3) Destruction-free up to di\/dt=-360A\/μs at RT.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,302 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46376742093039,"sku":"IEEJ-SPC10151-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_0f23e4bb-dd7e-41e3-9253-ee413eb2839e.png?v=1744114367","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc10151","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}