{"product_id":"ieej-spc10162","title":"シリコンリセスを有するパワーデバイスの新規終端構造の検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC10162\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2010\/11\/30\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA concept of a novel edge termination technique with a silicon recess\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e本田 成人(三菱電機),楢崎 敦司(三菱電機),藤井 亮一(三菱電機),川上 剛史(三菱電機),寺崎 芳明(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHonda Shigeto(Mitsubishi Electric Corporation),Narazaki Atsushi(Mitsubishi Electric Corporation),Fujii Ryoichi(Mitsubishi Electric Corporation),Kawakami Tsuyoshi(Mitsubishi Electric Corporation),Terasaki Yoshiaki(Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーデバイス半導体|終端構造|ＲＥＳＵＲＦ|シリコンリセス|平坦化プロセス|耐圧特性|Power Semiconductor Devices|Edge termination technique|RESURF|Silicon recess|Planarization process|Reverse blocking characteristics\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e新規終端構造技術を検討。この終端構造の特徴はRESURF構造にシリコンリセス領域を設けていることにある。このシリコンリセス下にRESURF領域を形成することで、主接合の曲部への電界を緩和し、耐圧を向上させる。さらに、絶縁膜をシリコンリセス内に埋め込むことにより、平坦化プロセスを実現。この新規終端構造を適用させた75V～1700V級のダイオードを試作し、良好な遮断特性が得られることを確認した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eA novel edge termination technique has been developed. This new edge termination consists of a RESURF (REduced SURface Field) layer and a silicon recess backfilled with a SiO2. The RESURF layer under the silicon recess mitigates the electric field around a main junction curvature, which improves the breakdown voltage. And this structure has a compatibility with a fine-pitch process due to a planarization process. We have succeeded in obtaining sufficient blocking capabilities of the fabricated diodes, the voltage ratings of which are from 75 V to 1700 V.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e727 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46376743141615,"sku":"IEEJ-SPC10162-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_a6a33e6c-7ac1-4ec4-bbb4-0e551edacbe5.png?v=1744114411","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc10162","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}