{"product_id":"ieej-spc10170","title":"高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC10170\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2010\/11\/30\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eInfluence of Electric Field upon Current Collapse Phenomena and Reliability in High Voltage GaN-HEMTs \u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e齋藤 渉(東芝),新田 智洋(東芝),垣内 頼人(東芝),齋藤 泰伸(東芝),野田 隆夫(東芝),藤本 英俊(東芝),吉岡 啓(東芝),大野 哲也(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eSaito Wataru(Semiconductor Company,Toshiba Corp.),Nitta Tomohiro(Semiconductor Company,Toshiba Corp.),Kakiuchi Yorito(Semiconductor Company,Toshiba Corp.),Saito Yasunobu(Semiconductor Company,Toshiba Corp.),Noda Takao(Semiconductor Company,Toshiba Corp.),Fujimoto Hidetoshi(Semiconductor Company,Toshiba Corp.),Yoshioka Akira(Semiconductor Company,Toshiba Corp.),Ohno Tetsuya(Semiconductor Company,Toshiba Corp.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＧａＮ－ＨＥＭＴ|高耐圧|電流コラプス|信頼性|GaN-HEMT|High Voltage|Currento Collapse|Reliability\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスによるオン抵抗増加をフィールドプレート構造やウェハを変化させて評価し、電界ピークに対するユニバーサリティが観測された。オン抵抗増加はゲート端電界が著しく影響する。連続スイッチングによるオン抵抗の変動を評価した。電流コラプスと同様に電界ピークに依存し、ゲート端電界の影響が著しい。これより、最適なフィールドプレート設計は、電流コラプス抑制と信頼性確保を両立させる。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eThe relation between the dynamic on-resistance increased by the collapse phenomena and the maximum electric field peak showed universality, which was independent from the field plate structure and the wafer. The gate-edge electric field strongly affects the increase of the dynamic on-resistance. After the continuous switching test, the change of the dynamic on-resistance also depended on the maximum electric field.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e469 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46376743567599,"sku":"IEEJ-SPC10170-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_85f87b9f-9a5e-4bf6-b64d-43b813a57856.png?v=1744114434","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc10170","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}