{"product_id":"ieej-spc11165","title":"ＤＩプロセスを用いたアナログスイッチＩＣ向け低オン抵抗小型ＭＯＳＦＥＴ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC11165\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/10\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eNew Low-Resistance and Compact MOSFETs for Analog Switch ICs with V-groove Dielectric Isolation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e原 賢志(日立製作所),坂野 順一(日立製作所),本多 啓伸(日立製作所),相沢 淳一(日立製作所),新井 大夏(日立製作所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHara Kenji(Hitachi Ltd.),Sakano Junichi(Hitachi Ltd.),Honda Hironobu(Power Systems Company,Hitachi Ltd.),Aizawa Junichi(Power Systems Company,Hitachi Ltd.),Arai TaigaPower Systems Company (Power Systems Company,Hitachi Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＤＩ|アナログスイッチＩＣ|ＭＯＳＦＥＴ|DI|analog switch IC|MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e誘電体分離（ＤＩ）プロセスを用いた２２０ＶアナログスイッチＩＣ向け低オン抵抗小型ＭＯＳＦＥＴを開発した。出力段回路用ＭＯＳＦＥＴは、素子分離酸化膜を利用した凸型構造を素子内部に形成、耐圧を保持しつつドリフト抵抗を低減し高電流密度を得た。駆動回路用には、ＪＦＥＴ抵抗により飽和電流を抑制しゲート酸化膜下の電界を緩和する小型ＭＯＳＦＥＴを開発した。以上より、ＭＯＳＦＥＴサイズの４０％低減を実現した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eA low-resistance and compact MOSFET for analog switch ICs with Dielectric Isolation (DI) process technology is proposed. To obtain a high current density, we have developed new MOSFET with internal prominence, which reduce the drift resistance of devices with a high breakdown voltage. New N-ch and P-ch compact MOSFETs for level shifters have also been developed that can control saturation current with a low electric field under the gate region by using a junction field effect transistor structure for higher hot carrier reliability. The areas of these MOSFETs can be shrunk about 40% in 220-V devices.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e995 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46380748669167,"sku":"IEEJ-SPC11165-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_92562a7a-0c93-4063-bf19-2c37ffbc7cb3.png?v=1744205153","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc11165","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}