{"product_id":"ieej-spc11175","title":"高温で広い安全動作領域を有するCSTBTTM(III)の開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC11175\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/10\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eCSTBTTM(III) having wide SOA under high temperature condition\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e深田 祐介(三菱電機),鈴木 健司(三菱電機),高橋 徹雄(三菱電機),原田 辰雄(三菱電機),藤井 秀紀(三菱電機),石澤 慎一(三菱電機),山下 潤一(三菱電機),Donlon John F (Powerex),寺島 知秀(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eFukada Yusuke(Mitsubishi Electric Corporation),Suzuki Kenji(Mitsubishi Electric Corporation),Takahashi Tetsuo(Mitsubishi Electric Corporation),Harada Tatsuo(Mitsubishi Electric Corporation),Fujii Hidenori(Mitsubishi Electric Corporation),Ishizawa Shinichi(Mitsubishi Electric Corporation),Yamashita Junichi(Mitsubishi Electric Corporation),Donlon John F (Powerex,Inc),Terashima Tomohide(Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＩＧＢＴ|安全動作領域|高温動作|IGBT|SOA|high temperature operation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e  近年，パワーデバイスには世界的な環境保全の流れから，パワーデバイスにはより低損失で，かつ，高密度で高温で動作する厳しい特性が求められている。 本論文ではCSTBTTM(III)の高温での安全動作領域の解析について報告する。 高温での安全動作領域拡大には寄生のNPNトランジスタの動作抑制が重要であり，最適化したCSTBTTM(III)では200℃で熱暴走せず安全動作可能であることを確認した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003e This paper presents high temperature performance of CSTBTTM (III) and its main parameters. The key for high temperature operation is suppressing the parasitic NPN transistor action. N+ emitter width, P+ diffusion layer depth and gate oxide thickness are main parameters for suppressing the parasitic action. The optimized 1200V CSTBTTM(III) succeeded in 200°C operation without any thermal runaway or turn-off failure.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e892 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46380750045423,"sku":"IEEJ-SPC11175-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_eb6bbc43-39fa-486a-b27f-737932e6d3b2.png?v=1744205188","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc11175","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}