{"product_id":"ieej-spc12017","title":"SiパワーMOSFETを用いた高周波スイッチング実現に関する実験的一検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC12017\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2012\/01\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA experimental study on realization of high frequency switching by using Si power MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e文野 貴司(京都大学),佐藤 宣夫(京都大学),宅野 嗣大(京都大学),引原 隆士(京都大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakashi Fumino(Kyoto University),Nobuo Satoh(Kyoto University),Tsuguhiro Takuno(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＳｉパワーＭＯＳＦＥＴ|高周波スイッチング|絶縁ゲートドライブ|寄生インピーダンス|スイッチング損失|Si power MOSFET|high frequency switching|isolated gate drive|parasitic impedance|switching loss\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e高周波スイッチング素子としてSiパワーMOSFETを用いて, 1MHzあるいはそれ以上の周波数での高速スイッ_x000D_\nチング特性を評価する. 50W出力を想定した実験回路を製作, その際には回路応用を想定して絶縁ゲートドライバ_x000D_\nを利用し, 寄生インピーダンスの抑制のために短配線化を図っている. 本報告では, 各電圧\/電流波形の観測およびその解析から, 素子や配線の寄生インピーダンスの影響と素子駆動に伴う損失を検討する.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e993 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46393355305199,"sku":"IEEJ-SPC12017-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_515770d4-2a8b-49a6-b72b-b01aae5e0851.png?v=1744689262","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc12017","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}