{"product_id":"ieej-ter06032","title":"鉄道車両分野に適用されるパワーデバイスの進展","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eTER06032\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門　交通・電気鉄道研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/03\/10\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eProgress of Power Devices for Train Propulsion Control System Application\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e岡山 秀夫(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHideo Okayama(Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e鉄道車両|パワーエレクトロニクス|パワーデバイス|GTOサイリスタ|IGBT|SiC|IPM|train propulsion|power electronics|power device|Gate Turn-Off thyristor|Insulated Gate Bipolar Transistor|Silicon Carbide|Intelligent Power Module\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e863 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46393558368495,"sku":"IEEJ-TER06032-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_d1d53be8-3330-4ab0-b83e-e85b25e169ca.png?v=1744696533","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ter06032","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}