{"product_id":"ieej-zt004154","title":"6.2kV 4H-SiC pn ダイオード","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-154\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2000\/03\/21\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003e6.2kV 4H-SiC pn Diodes\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e菅原 良孝(関西電力),高山 大輔(関西電力),林 利彦(関西電力),浅野 勝則(関西電力)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYoshitaka Sugawara|Daisuke Takayama|Toshihiko Hayashi|Katsunori Asano|Ranbir Singh|John Palmour\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|pnダイオード|メサJTE|高耐圧|逆回復時間\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e高耐圧SiC-pnダイオードを設計・試作した。試作したダイオードは、静特性では6.2kVというSiCにおける世界最高耐圧、4.7V (at 100A\/cm\u003csup\u003e2\u003c\/sup\u003e)の低いオン電圧を実現した。動特性では28.5nsの短い逆回復時間を実現し、さらに、550Kでも逆回復時間が63nsの高速なリカバリー特性を持つことを明らかにした。試作した6.2kVSiC-pnダイオードは、Si-pnダイオードの耐圧とオン電圧のトレードオフを超えることに成功した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e191 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46395563409647,"sku":"IEEJ-ZT004154-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_e9ac3b9e-86e3-4d93-b246-f9f009774c81.png?v=1744779046","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt004154","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}