{"product_id":"ieej-zt004155","title":"３．６ｋＶ　４Ｈ-ＳｉＣ高速ＪＢＳダイオード","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-155\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2000\/03\/21\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003e3.6kV 4H-SiC High Speed JBS Diode\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e浅野勝則 (関西電力),林利彦 (関西電力),齋藤隆一 (日立製作所),菅原良孝 (関西電力)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eｶﾂﾉﾘ (Kansai Electric Power Co.),ﾄｼﾋｺ (Kansai Electric Power Co.),ﾘｭｳｲﾁ (Hitachi,Ltd.),ﾖｼﾀｶ (Kansai Electric Power Co.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|ＪＢＳダイオード\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e次世代の半導体材料であるＳｉＣを用いて，ＪＢＳダイオードを試作した．耐圧は３．６ｋＶとＪＢＳダイオードとしては最高の耐圧を達成した．また，逆回復時間は１１ｎｓと非常に高速にできた．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e178 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46395563442415,"sku":"IEEJ-ZT004155-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_d7ab2f80-b5de-452d-81c8-77d8817a0c3c.png?v=1744779050","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt004155","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}