{"product_id":"ieej-zt004157","title":"トレンチMOSゲート構造へのCVDゲート酸化膜の有効性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-157\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2000\/03\/21\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eAdvantages of CVD Gate Oxide for Trench MOS Gate Structures\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中村 勝光(三菱電機),楠 茂(三菱電機),中村 秀城(三菱電機),原田 眞名(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKatsumi Nakamura(Mitsubishi Electric Corporation),Shigeru Kusunoki(Mitsubishi Electric Corporation),Hideki Nakamura(Mitsubishi Electric Corporation),Masana Harada(Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eトレンチMOSゲート構造|CVDゲート酸化膜|窒化酸化膜|Time-Zero絶縁破壊特性|定電流TDDB特性\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eトレンチMOSゲート構造におけるゲート酸化膜として、CVDゲート酸化膜が有効なゲート酸化膜であることを明らかにした。トレンチMOSゲート構造では、トレンチ構造特有の幾何学的形状因子による膜厚,膜質均一性に優れたCVDゲート酸化膜(特に窒素を偏析させたゲート酸化膜)を用いることでゲート酸化膜特性(リーク特性,Time-Zero絶縁破壊特性),信頼性が大幅に向上し、MOSトランジスタ特性でも高い電流駆動能力を示す結果が得られた。トレンチMOSゲートパワーデバイスでは、特に大面積化した場合のゲート酸化膜信頼性確保の観点から、幾何学的形状因子を排除したCVDゲート酸化膜が有望なゲート絶縁膜である。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e362 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46395564032239,"sku":"IEEJ-ZT004157-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_7bf99dcc-a574-4d3a-ac46-b08567899194.png?v=1744779082","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt004157","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}