{"product_id":"ieej-zt004161","title":"第VI世代TSSOP-8外形デュアルタイプ2.5V駆動n-chパワーMOSFET","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-161\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2000\/03\/21\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003e6th-Generation Trench Gate TSSOP-8 Outline Dual Type 2.5V Drive n-ch Power MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e楢崎 敦司(菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング),瓜生 勝美(福菱セミコンエンジニアリング),浜地 浩秋(福菱セミコンエンジニアリング),岩田 信幸(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNarazaki Atsushi(Ryouden Semiconductor System Engineering Corp.),Uryuu Katsumi(Fukuryo Semiconductor Engineering Corp.),Hamachi Hiroaki(Fukuryo Semiconductor Engineering Corp.),Iwata Nobuyuki(Mitsubishi Electric Corp.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーMOSFET|トレンチゲート\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eノートパソコンなどの携帯機器の市場の中で、パワーMOSFETは電源部分のDC\/DCコンバータやパワーマネージメント、リチウムイオン電池の保護回路に使用されている。使用されているパワーMOSFETは電池の長寿命化に伴い、省消費電力を目的として、低オン抵抗化が要求されている。 今回、プロセスデザインルールの微細化とユニットセルサイズの最適化により、当社5世代MOSFETに対して、単位面積当たりのオン抵抗(Ron×A)にて25％の低減を達成したので報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e54 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46395564294383,"sku":"IEEJ-ZT004161-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_dd0e83f1-ee82-436e-8484-66bf636e9f28.png?v=1744779092","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt004161","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}