{"product_id":"ieej-zt012025","title":"SiO2の光電子放出における表面電流の影響","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e2-025\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2001\/03\/21\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEffect of Surface Current on Photoelectron Emission from SiO\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e赤木 正宣(中央大学),榊原 剛(中央大学),橋本 雄一(キヤノン)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasanobu Akagi(Chuo University),Takeshi Sakakibara(Chuo University),YUichi Hashimoto(Canon Inc.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e光電子放出|表面処理\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiO\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003eからの光電子放出現象について、表面電流との関連について実験を行った。その結果、表面の中性Arビーム処理による表面抵抗の変化および、表面電流による光電子放出のPhotothresholdの変化が確認された。この結果について、先に報告したマイカを用いた場合の実験結果と比較し、SiO\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003eの表面状態について考察を行った。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e88 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46395705065711,"sku":"IEEJ-ZT012025-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3a3cdfcc-1975-468c-bcbf-f205099a3bf6.png?v=1744786177","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt012025","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}