{"product_id":"ieej-zt013013","title":"1.7KVクラスＩＧＢＴのＬＴＤＳ(Long Term D.C.Stability)","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e3-013\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2001\/03\/21\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLong Term D.C.Stadility of 1.7KV Class IGBT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e石沢 慎一(福菱セミコンエンジニアリング),望月 浩一(福菱セミコンエンジニアリング),佐藤 克己(三菱電機),小西 譲(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eShinichi Ishizawa(Fukuryo Semicon Engineering Corporation ),Kouichi Mochiduki(Fukuryo Semicon Engineering Corporation ),Katsumi Satou(Mitsubishi Electric Corporation),Yuzuru Konishi(Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e高耐圧素子における逆バイアス印加時の突然破壊について、様々な報告がされている。今回1.7KVクラスのIGBTについても同様の故障が発生することが実験的に判明した。この故障率とデバイス内の電界との相関を実験及びシミュレーションとで合せ込みを行った結果について報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e94 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46395730329839,"sku":"IEEJ-ZT013013-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_809388d8-c8df-464f-9055-463115ee87c9.png?v=1744787374","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt013013","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}