{"product_id":"ieej-zt022151","title":"プラズマCVD法によるSiO2基板上へのSiC薄膜の生成","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e2-151\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2002\/03\/26\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003ePreparation of Silicon Carbide on SiO\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003e substrate by plasma CVD\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中島 史人(信州大学),林部 林平(信州大学),上村 喜一(信州大学),小沼義治 (信州大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eFumihito Nakajima(Shishu University),Rinpei Hayashibe(Shishu University),Kiichi Kamimura(Shishu University),Yoshiharu Onuma(Shishu University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|プラズマCVD|薄膜\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiを用いたデバイスの開発は、Si物性値の理論的限界にまで達しているため、次期材料の開発が望まれている。このような状況の下、禁制帯幅が大きく熱的・化学的に安定であるSiCは、次世代の耐環境性デバイス用材料などとして注目されている。SiCの生成には通常2000℃以上の高温過程が必要であるが、プラズマCVD法を用いれば通常より低い温度でのSiC薄膜の生成が可能である。本研究では、ガスソースとして、SiH\u003csub\u003e4\u003c\/sub\u003eより安全で取り扱いやすいSiH\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003eCl\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003e 2を用いて結晶性SiC薄膜を生成し、その結晶学的・化学的・電気的評価を行った。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e131 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46395947811055,"sku":"IEEJ-ZT022151-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_2c86ac13-687f-4bf5-9067-85831586c229.png?v=1744796724","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt022151","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}