{"product_id":"ieej-zt023136","title":"SOS基板を用いた薄膜型SPV化学センサの特性改善","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e3-136\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2002\/03\/26\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eImprovement of characteristics of thin type SPV chemical sensor using SOS substrate\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e矢作 悟郎(埼玉大学),千野 理明(埼玉大学),内田 秀和(埼玉大学),勝部 昭明(埼玉大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eGoro Yahagi(Saitama University),Toshiaki Chino(Saitama University),Hidekazu Uchida(Saitama University),Teruaki Katsube(Saitama University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e化学センサ|表面光電圧法|SOS基板\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本研究では、Silicon on Sapphire (SOS)基板の膜厚制御性、光学特性、機械的強度に着目し、薄膜型SPVセンサ素子に用いて感度と空間分解能の高いセンサ素子の設計をするための最適な条件を探るために、ドープ量の異なるサンプルについて素子特性の測定を行い、バイアス特性と周波数特性を検討した。その結果、変調周波数が1kHzまででは、周波数の増加に伴い観測電流も増加する傾向があり、また、ドープ量が増加するにつれて観測電流の増加が鈍い区間が長くなることがわかった。また、今回の測定では、電流値がピークを迎えた後も増加し続けるという結果が得られた。今後、これらの結果に、現在進めている計算機シミュレーションによる解析を併せることで、最適な素子設計の指針を探る手掛かりを得ることができると期待される。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e135 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46395966390511,"sku":"IEEJ-ZT023136-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_8c0b3fc4-20ff-4c7a-8b0a-6faba8db5112.png?v=1744797735","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt023136","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}