{"product_id":"ieej-zt024012","title":"TOPSダイオードの低電流逆回復特性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-012\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2002\/03\/26\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLow Current Reverse Recovery Characteristics with Trench Oxide PiN Schottky(TOPS) Diode\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e内藤 達也(富士電機総合研究所),根本 道生(富士電機総合研究所),西浦 彰(富士電機総合研究所),大月正人 (富士電機),桐沢 光明(富士電機),関 康和(富士電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTatsuya,Naito|Michio,Nemoto|Akira,Nishiura|Masahito,Otsuki|Mitsuaki,Kirisawa|Yasukazu,Seki\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eダイオード|IGBT|ソフトリカバリー|逆回復\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eIGBTモジュールに用いられるFWD(Free Wheeling Diode)においてさらなる特性改善が求められている。特にIGBTモジュールで発生する放射ノイズの主たる原因である低電流でのターンオン動作にFWDのソフトリカバリー特性は必要不可欠である。TOPS(Trench Oxide PiN Schottky)ダイオードの低電流逆回復特性について報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e131 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46395975762159,"sku":"IEEJ-ZT024012-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3ecc3714-c438-4b22-bcf8-9367ff82a764.png?v=1744798061","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt024012","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}