{"product_id":"ieej-zt024014","title":"SiC-GTOのターンオフ・シミュレーション","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-014\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2002\/03\/26\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eTurn-off Simulation of SiC-GTO\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e坂田 博(愛媛大学),ムハマッドザヒム (愛媛大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHiroshi Sakata(Ehime University),Zahim Muhamad(Ehime University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|GTO|FEM|デバイス・シミュレーション|ターン・オフ\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiの次世代の材料と見られる、SiCを用いたGTOについて、FEMを用いた1次元及び2次元のデバイス・シミュレーションを行なった。そのスイッチングにおけるターンオフ時間及び損失が、大幅に短縮・減少する、文献の実験結果とも符合する結果を得た。ハードドライブ・ゲートや局所ライフタイム制御などによる、短縮・減少効果と比較検討する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e103 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46395975925999,"sku":"IEEJ-ZT024014-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f32e6a35-192e-46ef-8886-fcc1ac195126.png?v=1744798067","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt024014","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}