{"product_id":"ieej-zt032177","title":"NiO薄膜による高周波キャリア型磁界センサのバイアス特性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e2-177\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2003\/03\/17\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh-Frequency Carrier-Type Magnetic Field Sensor Using NiO Antiferromagnetic Thin-Film\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e土橋正武 (九州工業大学),竹澤昌晃 (九州工業大学),山崎二郎 (九州工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e強磁性\/反強磁性結合により発生する一方向異方性を利用して高周波キャリア型薄膜磁界センサの高感度領域の制御を行う際に、反強磁性層にNiOを用いた場合の特性を調べた。その結果、NiOの特性に起因する多層膜の一方向異方性、ヒステリシス特性の変化が、センサの磁界検出特性に大きな影響を与えること分かった。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e913 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46396342403311,"sku":"IEEJ-ZT032177-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_4ec109ff-fdbc-4212-9c53-3028206814f8.png?v=1744805729","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt032177","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}