{"product_id":"ieej-zt032178","title":"厚膜化した高周波キャリア型薄膜磁界センサ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e2-178\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2003\/03\/17\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh Frequency Carrier Type Magnetic Field Sensor with Thick Film\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e馬渡 宏(東北大学),薮上 信(東北大学),山口 正洋(東北大学),荒井 賢一(東北大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHiroshi Mawatari(Tohoku University),Shin Yabukami(Tohoku University),Masahiro Yamaguchi(Tohoku University),Kenichi Arai(Tohoku University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e薄膜磁界センサ|磁区構造|還流磁区|一軸異方性\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e高周波キャリア型薄膜磁界センサにおいて、センサ素子の高感度化のためにCoNbZr薄膜の膜厚を約5μmまで厚膜化して、インピーダンス特性と磁区構造を検討した。膜厚4.2 μmの素子においては、容易軸はほぼ素子の幅方向に誘導できているが、4.6 μmの素子では若干の還流磁区が観察されこれがインピーダンス変化率の低下と考えられる。4.9 μm, 5.3 μmの素子においては素子面積に対して還流磁区の面積割合が20～25 ％と大きくなった。これは膜厚の増大により還流磁区の面積が増大して、磁化困難軸方向への励磁と同様の磁化過程となり、インピーダンス変化率が減少したと考えられる。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,619 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46396342468847,"sku":"IEEJ-ZT032178-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_e4742a7d-7c3b-4580-82e3-9edca705c254.png?v=1744805733","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt032178","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}