{"product_id":"ieej-zt033003","title":"ゲート酸化膜保護用ダイオードを設けたMOSゲートトンネルトランジスタの検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e3-003\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2003\/03\/17\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eStudy on MOS gate tunnel-transistor with gate oxide protecting diode\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e佐藤 貴一(東北学院大学),木村 光照(東北学院大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003etakakazu satou(Tohokugakuin University),mitureru kimura(Tohokugakuin University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eMOSFET|トンネル電流|トンネル接合|ショットキー接合|短チャネル効果\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eこれまで我々は，短チャネル効果のブレークスルーデバイスとして、ソースのショットキ電極とｎ＋ドレインとのショットキトンネル接合を持つMOSゲートショットキトンネルトランジスタを提案し試作・検討を行ってきた。しかしゲート酸化膜が静電破壊を起こしてしまい、測定時に手間がかかる上に歩留まりが非常に悪かった。そこで今回はSOI基板を用いて素子分離されたｎ＋ｐｎ＋ダイオードをゲート?ドレイン間に設けることで過電圧がゲートに直接印加されないようにして、ゲート酸化膜を保護出来る構造で試作・検討を行ったので報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e6,001 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46396349251823,"sku":"IEEJ-ZT033003-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_b03188c1-24ab-44fe-9e9d-3ae3b81ee247.png?v=1744805928","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt033003","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}