{"product_id":"ieej-zt034008","title":"p+-SiGeコレクター\/n-Siドリフト・ヘテロ接合によるトレンチIGBTの低損失化","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-008\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2003\/03\/17\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eReducing operation of trench IGBT by p+-SiGe-collector\/n-Si-drift heterojunction\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e工藤嗣友 (九州工業大学),浅野 種正(九州工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTsugutomo Kudo(Kyushu Institute of Technology),Tanemasa Asano(Kyushu Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eトレンチIGBT|Si\/SiGeヘテロ接合|高速動作|低損失化\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年、IGBTは、低損失かつ高速動作が要求されている。このためには、ターンオフ時に発生するテール電流を抑制する必要がある。本研究では、n-ドリフト領域に注入された正孔をターンオフ時に速やかに排出する構造としてコレクター側にSi\/SiGeのヘテロ接合を設けた構造を提案する。本報告では、提案する構造の動作性をデバイスシミュレーションで検討し、提案する構造が通常のSiトレンチIGBTと比較して損失の低減に有効である可能性を示す。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e985 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46396377858287,"sku":"IEEJ-ZT034008-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_7a23db88-329c-4fbb-a231-1edd2ba25544.png?v=1744806948","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt034008","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}