{"product_id":"ieej-zt034009","title":"IGBTにおける二次破壊現象のシミュレーション","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-009\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2003\/03\/17\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Simulation of Secondary Breakdown on IGBTs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高田育紀 (三菱電機先端技術総合研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eIGBT|二次破壊現象|L負荷Turn OFF|シミュレーション|破壊限界|不均一動作\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eIGBTのL負荷ターンオフ時の破壊現象の特徴をデバイス・シミュレータで再現することができた。面積の異なるiGBTを並列接続し、小面積iGBTのVthをわずかに小さくすると、ターンオフ時には全電流が小面積IGBTに流れる。この小面積IGBTは、高電圧を保持したまま大電流を流すサスティン動作を開始する。通常のIGBTではサスティン動作のIC-VCE特性が負性抵抗特性であるので、コレクタ電流密度はますます増大し、ついにはサイリスタ動作(ラッチング)を引き起こす。この低Vth IGBTの面積率が小さい場合、瞬間的にコレクタ電圧の低下し、コレクタ電流が増大し始めるという二次破壊の特徴を示す。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,526 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46396378546415,"sku":"IEEJ-ZT034009-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_fcd1520b-58b4-4e21-8d64-83d897af77ad.png?v=1744806952","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt034009","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}