{"product_id":"ieej-zt034011","title":"高耐圧ＩＧＢＴチップの負荷短絡耐量","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-011\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2003\/03\/17\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Study on SCSOA of High Voltage IGBT Chip\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e古閑丈晴 (富士電機総合研究所),藤井岳志 (富士電機総合研究所),吉川功 (富士電機総合研究所),山下満男 (富士電機総合研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＩＧＢＴ|短絡耐量|電界強度|電流増幅率\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e4.5ｋＶＩＧＢＴチップ（パンチスルー型）の負荷短絡耐量（ＳＣＳＯＡ）を実測した。試験において、短絡開始の電流ピーク近傍で瞬時破壊する破壊モードが顕著に見られた。調査の結果、ＩＧＢＴチップの飽和電圧が低い程、バッファ層が薄い程、バッファ層濃度が低い程、チップ温度が低い程、短絡耐量は大きいことが確認された。シミュレーションによる解析の結果、ベース層／バッファ層境界部にて、多数キャリア（電子）濃度の増加により、電界強度が非常に強くなり、アバランシェ降伏が発生することが判った。コレクタ側の電流増幅率が低い程、境界部の電界強度は強くなり、短絡耐量が低下すると考えられる。コレクタ側の不純物濃度分布の最適化により、目標の短絡耐量を実現した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,717 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46396376744175,"sku":"IEEJ-ZT034011-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_9fcb6295-4afb-486a-9e88-f8b94efb5970.png?v=1744806919","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt034011","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}