{"product_id":"ieej-zt041161","title":"低周波低雑音計測システム","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-161\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2004\/03\/17\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLow Frequency Low Noise Measurement System\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e横倉 三郎(明星大学),田沼 伸久(明星大学),鷹野 致和(明星大学),橋口 住久(山梨大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eSaburo Yokokura(Meisei University),Nobuhisa Tanuma(Meisei University),Munecazu Tacano(Meisei University),Hashiguchi Sumihisa(Yamanashi University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e低周波雑音|1\/fノイズ|雑音計測\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eRF-CMOS の微小化・小信号化、InGaAsHEMTの高周波化・極小化、GaNHFETの大出力化に伴って、各デバイスの低周波雑音がS\/N比を考える上で重要なファクターとなってきており、最近はDC測定と同様基本的性能として低周波雑音がまず測定されている。低周波雑音は基板材料、電極形成技術、パッシベーション形成技術のモニターとしてばかりでなく、デバイスの実際のシステムへの適合性を決定する重要ファクターであり、この計測が汎用的に用いられつつある。我々は、-183 dBV2\/Hzの世界最高入力感度を持つ前置増幅器を開発し、出力をPCに導入してフーリエ解析することでDUTの近くに設置できる小型の信号計測システムを開発した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e775 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46396569649391,"sku":"IEEJ-ZT041161-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_d638ed81-e61e-4e92-bd64-a2c198fccfd3.png?v=1744813284","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt041161","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}