{"product_id":"ieej-zt041193","title":"半導体化IGの大容量化設計に関する研究","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-193\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2004\/03\/17\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDesign of High Power Solid State Impulse Generator\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e前山光明 (埼玉大学),清水健広 (埼玉大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパルスパワー|半導体化|パルス発生器|マルクス回路\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eIGのギャップスイッチを全て半導体スイッチであるサイリスタにし、さらに高速充電、繰り返し動作もできる半導体化IG の開発を行っている。本発表では、大容量化するにあたり、回路のダイオードに含まれる浮遊容量、およりダイオードの特性のバラツキがIGの充電、及び放電の際に及ぼす誤動作の影響、およびそれへの対策を含んだ設計方法について発表を行う。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e124 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46396574630127,"sku":"IEEJ-ZT041193-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_9a8ac966-2be9-4881-bbf4-a755b6345707.png?v=1744813484","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt041193","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}