{"product_id":"ieej-zt042092","title":"プラズマCVD-スパッタリング共同によるC-Cu-S合成金属膜","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e2-092\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2004\/03\/17\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eC-Cu-S Synthetic Metal Film by Cooperation Process of Plasma CVD and Sputtering\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e水野 将範(名古屋大学),森田 慎三(名古屋大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003emasanori Mizuno(Nagoya University),shinzo morita(Nagoya University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eプラズマCVD・スパッタリング共同プロセス|合成金属|CH4|SF6|Ar混合ガス|C-Cu-S膜\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eCH4、SF6、Ar混合ガスのプラズマCVDと放電電極上のCu金属のスパッタリングを同時に行うことにより、導電性を持つC-Cu-S合成金属膜を作製することが出来た。過去の実験では原子組成比で17%のCuを混入することに成功した。しかし、これはほぼ絶縁体であった。本実験では、実験のプロセスを見直し、以前よりも多くのCuを混入することができたことを報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e766 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46396596650223,"sku":"IEEJ-ZT042092-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bc2266f1-5b88-40e3-9aaf-946ae94acb55.png?v=1744814174","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt042092","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}