{"product_id":"ieej-zt044002","title":"600V-5A級プレーナ型4H-SiC JFETの試作・評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-002\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2004\/03\/17\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003e600V-5A-class 4H-SiC JFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e水上 誠(東芝),滝川 修(東芝),今井 聖支(東芝),木下 浩三インフォメーションシステムズ(東芝インフォメーションシステムズ),畠山 哲夫(東芝),四戸 孝(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003emakoto mizukami(Toshiba Corporation),osamu takikawa(Toshiba Corporation),seiji imai(Toshiba Corporation),kozo kinoshita(Toshiba I.S. Corporation),tetsuo hatakeyama(Toshiba Corporation),takashi shinohe(Toshiba Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e炭化珪素|トランジスタ|電界効果\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e高耐圧-低オン抵抗なJFETを簡便な方法を用いて試作する為にゲート領域をMeV級のイオン注入法で形成した。また、高いチャネル密度を達成する為に、p+ゲート領域をソース電極と接触させずにソース電極下部に直角に配置し、ゲートコンタクト領域をチャネル領域の外側に設けた。ゲート深さ2.5μm、ゲート間隔2.5μmで試作した5A級JFETの静特性は耐圧600V(@Vg=-35V)、オン抵抗13mΩcm2(@Vg=2.5V)であった。電源電圧(Vd)が300V、外部抵抗RLが60Ωの時のターンオフ時間は200nsであった。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e652 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46396650520815,"sku":"IEEJ-ZT044002-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bc6b00ab-5479-43b2-a1fc-c8dfce084225.png?v=1744815689","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt044002","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}