{"product_id":"ieej-zt044005","title":"D級アンプ向け高速パワーMOSFET","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-005\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成16年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2004\/03\/17\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eFast switching Power MOSFET for D class audio amplifier\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e泉沢 優(東芝セミコンダクター社),相田 聡(東芝セミコンダクター社),上月 繁雄(東芝セミコンダクター社),中山 和也(東芝セミコンダクター社),稲木 洋行(東芝セミコンダクター社),大蔵 厳太郎(東芝セミコンダクター社)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasaru Izumisawa(TOSHIBA Corporation),Satoshi Aida(TOSHIBA Corporation),Shigeo Koduki(TOSHIBA Corporation),Kazuya Nakayama(TOSHIBA Corporation),Hiroyuki Inagi(TOSHIBA Corporation),Gentaro Ookura(TOSHIBA Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eMOSFET|シリサイド|微細化|高速|スイッチング\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eデジタルアンプのパワー段で使用されるパワーMOSFETは高分解能のPWM(Pulse Width Modulation)オーディオ信号を基に動作させるため、短い1ビット単位のパルスを表現するためには、高速なスイッチング性能が求められる。そこで我々は素子構造の微細化と最適化、シリサイド(Silicide)ゲート構造の採用により、低容量かつ低ゲート抵抗化を実現したデジタルアンプ向け100V系高速パワーMOSFET 2SK3669を開発した。スイッチング時間tr,tfでは2ns程度と高速性能を実現した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,122 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46396651012335,"sku":"IEEJ-ZT044005-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_44b1df24-77b0-4a90-95b6-a6fb4a0ec220.png?v=1744815703","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt044005","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}