{"product_id":"ieej-zt053125","title":"RF MEMSスイッチの要素技術開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e3-125\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/03\/15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopment of the elemental technology for RF MEMS Switch\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e森口誠 (オムロン),佐藤正武 (オムロン),渡辺秀明 (オムロン)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eスイッチ|リレー|高周波|MEMS\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e高周波（RF；Radio Frequency）帯における信号処理技術は、音声、画像などの「大容量情報」をより高速に処理し伝送するために必須の技術である。しかし数百MHz以上のRF領域においては信号の損失や劣化が無視できなくなる。MEMSはそのサイズから基本的にRFデバイスに適用しやすい技術だが、プロセスや構造上の制約から材料、構造、回路設計に工夫が求められる。10GHz伝送時代に対応できるRF MEMSスイッチの開発のためには安定した動作・接触を継続する動作信頼性と高周波に対応したパッケージング技術の確保が大きな問題となる。その概要を報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e968 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46396851028207,"sku":"IEEJ-ZT053125-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_e3283203-ef2f-4bb3-bddb-50545bf3d53d.png?v=1744823268","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt053125","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}