{"product_id":"ieej-zt053176","title":"テラヘルツ電磁波による水素センサー特性評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e3-176\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/03\/15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eProperties of Hydrogen Sensors Diagnosed by Terahertz Emission System\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e紀和利彦 (岡山大学),塚田啓二 (岡山大学),鈴木正人 (大阪大学),斗内政吉 (大阪大学),右高園子 (日立製作所),横澤宏一 (日立製作所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eテラヘルツ電磁波|水素センサー|ガス触媒金属\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e電極に蒸着された触媒金属と半導体基板の仕事関数差が水素吸着により変化することを利用したMOS-FET型及び，ショットキーバリア型センサーは，比較的応答速度が速い点などから，期待されている水素センサーのひとつである．本研究では，半導体表面の仕事関数差を評価することが可能なテラヘルツ電磁波(THz)放射・検出システムの構築を行い，水素ガス雰囲気中でのPd\/Si構造からのTHz放射特性を評価した．この結果，水素濃度の増加と共にTHz放射強度が減少していくことが示された．このことは，構築したシステムを用いて，水素センサーの非破壊・非接触評価が可能であることを示している．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e644 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46396858761455,"sku":"IEEJ-ZT053176-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_6fa732d3-c911-40d3-b819-a216b3a9e0e9.png?v=1744823559","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt053176","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}