{"product_id":"ieej-zt054006","title":"Si基板上パワーAlGaN\/GaN SBD","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-006\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/03\/15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003ePower AlGaN\/GaN SBD on Si Substrate\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e町田修 (サンケン電気),岩上信一 (サンケン電気),柳原将貴 (サンケン電気),中西浩 (サンケン電気),江原俊浩 (サンケン電気),熊倉弘道 (サンケン電気),金子信男 (サンケン電気),馬場良平 (サンケン電気),猪澤道能 (サンケン電気),大塚康二 (サンケン電気)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN|SBD|Si基板|化合物半導体\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e電源機器の高効率化のために、ローコスト、低損失なSi基板上GaN系電子デバイスの開発を行っている。今回、5インチ径のSi基板上にバッファ層／GaN層／AlGaN層を成長したエピタキシャルウエハを用いて、2次元電子ガス層を導電層として利用したパワーAlGaN\/GaN SBDを作製した。アノード電極周囲長が50mm、活性部面積が1.1mm2のAlGaN\/GaN SBDにおいて、順方向電流2Aのときに順方向電圧1.7Vを、耐圧450Vを得た。また、本SBDには、Si FRDにみられるような順方向電流に比例した大きなリカバリー電流は認められなかった。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e663 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46396864004335,"sku":"IEEJ-ZT054006-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_142934d0-9232-4a3b-be02-648ab4c7fc48.png?v=1744823808","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt054006","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}