{"product_id":"ieej-zt054012","title":"高速スイッチングにおけるゲートドライブ条件と素子損失の相互関係","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-012\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/03\/15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eCorrelation between gate drive parameters and device losses in a high speed switching operation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e色川 泰史(東京工業大学),高尾 和人(産業技術総合研究所),大橋弘通 (東京工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHirofumi Irokawa(Tokyo Institute of Technology),Kazuto Takao(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Sung Kyungmin(Tokyo Institute of Technology),Hiromichi Oohashi(Tokyo Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|高速スイッチング|ゲート回路パラメータ|スイッチング損失\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e次世代情報通信用電源などで、電力変換器の高パワー密度化が重要になる。変換器の高パワー密度化には、パワーデバイスの高速・低損失駆動が必要である。高速駆動において、デバイスのスイッチング損失はゲート駆動回路のパラメータに大きく依存するので、両者の相互関係を明らかにすることが必要である。ゲートドライブ条件と素子損失との相互関係を調べるため、ゲート回路パラメータを変化させたときの素子損失の変化を測定した。この結果をデバイスシミュレーションの結果と比較し、ゲート回路パラメータと素子損失の関係を定量的に明らかにした。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,395 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46396864463087,"sku":"IEEJ-ZT054012-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_4cc4603f-263f-4d9a-a43a-60893bd3a33c.png?v=1744823821","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt054012","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}