{"product_id":"ieej-zt054043","title":"双方向絶縁形DC\/DCコンバータ(350V, 10 kW, 20 kHz)の実験結果","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-043\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/03\/15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eExperimental Results of a Bi-Directional Isolated DC\/DC Converter Rated at 350 V, 10 kW and 20 kHz\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e井上 重徳(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eShigenori Inoue(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e電力変換|高周波変圧器|パワー半導体デバイス\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eシリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのワイドギャップ半導体を用いた，超低損失・高速パワーデバイスに関する研究が盛んに行われている。筆者らは既にこれらの使用を前提とした次世代高圧電力変換回路を提案した。本論文では，次世代高圧電力変換回路の基本回路である双方向絶縁形DC\/DCコンバータ(350 V, 10 kW, 20 kHz)を第5世代IGBTを用いて構成し，その実験結果を報告する。本回路のシステム効率は定格10kWにおいて96.9%であり，最大システム効率は97.5% (@ 5.6 kW)を実現した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,735 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46396868460783,"sku":"IEEJ-ZT054043-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_b823c96e-9233-4103-8571-6e8582a03af1.png?v=1744823985","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt054043","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}