{"product_id":"ieej-zt054095","title":"超高速素子を用いた単一ドライブ電源駆動電流形インバータ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-095\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成17年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/03\/15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eCurrent-Source Inverter Using Ultra High-Speed Switching Devices Driven by Single Gate-Drive Power Supply\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e岩谷 一生(長岡技術科学大学),野口 季彦(長岡技術科学大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKazuki Iwaya(Nagaoka University of Technology),Toshihiko Noguchi(Nagaoka University of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e高dv\/dt|超高速MOSFET|SiCダイオード|単一ドライブ電源駆動|非絶縁\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiC-FETなどの超高速スイッチング素子を電圧形インバータに適用する場合，ハイサイドスイッチング素子のソース（エミッタ）電位が高速で変化するため，ドライブ信号の絶縁やドライブ電源に工夫が必要となる。これに対し著者らは，スイッチング素子のソース端子が全て共通ラインに接続され，単一のゲートドライブ電源で駆動できる電流形3レベルインバータを提案した。本論文では，超高速MOSFETとSiCダイオードを提案回路に適用し，dv\/dtが高い場合でも信号絶縁素子や絶縁電源なしで本回路が良好に動作することを実証したので報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,506 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46396874916079,"sku":"IEEJ-ZT054095-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3e547484-3404-4acf-81a2-ae5c6043111f.png?v=1744824278","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt054095","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}