{"product_id":"ieej-zt064002","title":"SiCを用いたトランジスタのシミュレーション","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-002\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/03\/15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevice Simulation of SiC Transistor\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e松岡 高広(愛媛大学),林 利哉(愛媛大学),坂田 博(愛媛大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakahiro Matsuoka(Ehime University),Toshiya Hyashi(Ehime University),Hiroshi Sakata(Ehime University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|トランジスタ|デバイスシミュレーション\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e現在、Siに代わる半導体材料としてSiCが注目されており、SiCを用いることによってターンオフ特性の改善を実現するとされている。そこで本研究では、トランジスタのターンオフ特性に対し、SiCの与える影響について検討していた。なお、デバイスシミュレーションは有限要素法を用いたオリジナルのプログラムを使用した。一次元モデルを用いたデバイスシミュレーションにより、SiCトランジスタのスイッチング時間はSiの場合の約4割であることがわかった。よって、Siの代わりにSiCを用いることで、ターンオフ特性を大幅に改善、高周波動作できることがわかった。高耐圧、高温安定については、このモデルでは表現されていなので、確認していない。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e830 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46397105635567,"sku":"IEEJ-ZT064002-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_a834e17a-6c5d-4f48-9381-f6d63a984051.png?v=1744832248","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt064002","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}