{"product_id":"ieej-zt064004","title":"高電圧領域におけるSiC-SBDの容量-電圧特性の測定法","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-004\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/03\/15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA method for high voltage C-V characteristics measurement of SiC-SBD\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e松崎 俊太郎(京都大学),舟木 剛(京都大学),引原 隆士(京都大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eSyuntaro Matsuzaki(Kyoto University),Tsuyoshi Funaki(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|高耐圧|C-V特性|接合容量|パラメータ抽出\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiCショットキーバリヤダイオード(SBD)は, 高耐圧かつ, 逆回復電流のない高速な電源回路用素子として注目されている. 電源回路内におけるSiC-SBDのスイッチング動作を回路シミュレーションで評価するには, 素子の容量-電圧特性を正確に把握し, モデル化を行うことが重要である. 本報告では, 高電圧領域までC-V特性が測定可能な複数の測定回路を製作するとともに, 測定したSiC-SBDのC-V特性の妥当性について評価する. さらに, 測定したC-V特性から抽出したパラメータに基づいて, SiC-SBDのデバイス構造について考察する.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,719 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46397105733871,"sku":"IEEJ-ZT064004-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_e397d13b-1373-4430-a258-76c4239c74c0.png?v=1744832255","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt064004","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}