{"product_id":"ieej-zt064009","title":"超低損失・低ノイズ 1200V系IGBTモジュール","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-009\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/03\/15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eSuper Low Loss and Low Noise Characteristics 1200V IGBT Module\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e小野沢 勇一(富士電機デバイステクノロジー),吉田 崇一(富士電機アドバンストテクノロジー),大月正人 (富士電機デバイステクノロジー),中澤 治雄(富士電機アドバンストテクノロジー)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eOnozawa Yuichi(Fuji Electric Device Technology),Yoshida Souichi(Fuji Electric Advanced Technology),Otsuki Masahito(Fuji Electric Device Technology),Nakazawa Haruo(Fuji Electric Advanced Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eIGBT|FWD|dI\/dt制御性|ノイズ|逆回復\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e高いゲート抵抗によるdI\/dt制御性と低スイッチング損失を持つIGBTの開発を、表面構造の最適化を行いゲート-コレクタ間容量を低減することにより実現した。また、FWDにおいて低電流での逆回復時のサージ電圧を抑えるために、ドリフト層のドーピング濃度プロファイルの最適化を行った。これらのチップを組み込んだIGBTモジュールでは30MHzから110MHzの周波数領域においてにおいて、30%程度のスイッチング損失の低減に成功した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,984 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46397104881903,"sku":"IEEJ-ZT064009-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_67f3ade8-a7c3-4bf1-8f60-3039cefb13d7.png?v=1744832238","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt064009","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}