{"product_id":"ieej-zt064014","title":"消費電力を低減可能なMOSFET用共振形ゲートドライブ回路","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-014\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/03\/15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Resonant Gate-Drive Circuit with a Reduced Gate-Charge Loss\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e石垣将紀 (東京工業大学),藤田英明 (東京工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eゲートドライブ|パワーデバイス|高パワー密度化|高周波|部分共振\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年，パワーエレクトロニクス回路の小型化・高パワー密度化を目的として，スイッチング周波数の高周波化と低損失化が進められている。ソフトスイッチング技術はスイッチング損失の低減をし，高周波動作を可能とした。導通損失を低減する為には，オン電圧の低い素子を使用する必要がある。しかし， MOSFETを用いた場合，オン抵抗を下げようとすると，入力容量は増加し，ドライブ損失は増加する傾向にある。本研究では，MOSFET用共振形ゲートドライブ回路の損失低減効果について検討し， 450kHzハーフブリッジインバータへ適用した場合の動作特性を調査した。その結果，従来のドライブ回路に比べて，提案するドライブ回路における損失が1\/10になることを確認し，また，ハーフブリッジインバータにおいても良好な動作を確認したので報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,574 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46397106356463,"sku":"IEEJ-ZT064014-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_8b07c3fc-8dc3-4d4c-8706-c7a313713b74.png?v=1744832303","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt064014","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}