{"product_id":"ieej-zt074001","title":"シリコン・パワーデバイスリーク電流の拡散電流成分","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-001\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/03\/15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eOn the Diffusion Component in Leakage Currents of Silicon Power Devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高田 育紀(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eIkunori Takata(Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eリーク電流|高温特性|拡散電流成分|活性化エネルギー\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eシリコン・パワーデバイスのリーク電流は、従来、発生電流成分だけを考えるのが通例であった。高耐圧デバイスの高温動作では、シリコンを用いていても拡散電流成分も考慮することが必要であることを提言する。現在、主流となっているアノード、カソード領域を浅く低濃度不純物濃度にする構造では、このリーク電流成分が増えるので注意が必要である。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,751 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46397260726511,"sku":"IEEJ-ZT074001-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_ea407a8b-173f-4e70-9b75-63b017fa7b74.png?v=1744840448","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt074001","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}