{"product_id":"ieej-zt074004","title":"SiC-JFETを用いた太陽光発電用パワーコンディショナの試設計","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-004\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/03\/15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDesign consideration of power conditioner for photovoltaic power generation constructed by SiC-JFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e小前 泰彰(長岡技術科学大学),林 祐輔(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYasuaki Komae(Nagaoka University of Technology),Yusuke Hayashi(AIST),Hiromichi Ohashi(AIST)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e太陽光発電|パワーコンディショナ|パワー密度|SiC\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSi半導体素子の基本性能の理論限界が顕在化する中、SiC半導体素子は、さらなる低損失化、高周波化の実現に対して期待されており、SiC半導体素子を適用した変換器高パワー密度化の研究が、数多く行なわれている。本稿では、SiC-JFETを用いたPV用パワーコンディショナの試設計を行った。SiC-JFETの静特性とスイッチング損失を測定し、実動作条件における素子損失を予測した。また、受動フィルタを含めた変換器効率・体積を予測し、SiC-JFETの適用効果を総合的に検討した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e2,141 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46397260824815,"sku":"IEEJ-ZT074004-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_0d7d84fd-9314-4326-9433-5d98f1fa1e76.png?v=1744840458","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt074004","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}