{"product_id":"ieej-zt074005","title":"インダクタンス負荷におけるSiC-VJFETとIGBTのスイッチング特性の比較","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-005\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/03\/15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eSwitching characteristics of SiC-VJFET and IGBT for inductive load\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e菊池 章文(九州工業大学),吉永 啓佑(九州工業大学),大塚信也 (九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eAkifumi Kikuchi(Kyushu Institute of Technology),Keisuke Yoshinaga(Kyushu Institute of Technology),Shinya Ohtsuka(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|EMC|スイッチング特性\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e現在のSiデバイスに変わり、ワイドバンドギャップ半導体への期待が高まっており、その中でも実用化が最も近いとされているのがシリコンカーバイド(SiC)デバイスである。SiCデバイスを用いることで高速スイッチングが期待されているが、高速スイッチングによってEMC\/EMIといった問題が深刻化することが危惧される。本稿では、SiCデバイスを用いたインバータにおけるEMC\/EMIの評価を目的とし、今回はSiC-VJFETとSiC-SBDを用いてL負荷におけるSiCデバイスのスイッチング特性をダブルパルス法で測定した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,414 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46397261185263,"sku":"IEEJ-ZT074005-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bc00febd-90c7-4968-a97f-e1d1b71a407d.png?v=1744840461","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt074005","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}