{"product_id":"ieej-zt074009","title":"高パワー密度変換器設計のための高精度デバイス損失シミュレータの開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-009\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/03\/15\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopment of an exact device loss simulator for designing high output power density power converter\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e大和田好蔵 (産業技術総合研究所),高尾和人 (産業技術総合研究所),大橋弘通 (産業技術総合研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e電力変換器|パワー半導体デバイス|シミュレータ|SiC-SBD\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e高パワー密度電力変換回路の構造設計，熱設計では，設計データとして回路寄生パラメータの影響を考慮した高精度のデバイス損失計算が必要になる。今回，ユニポーラデバイスを対象に独自に開発した回路損失モデルをベースとした高精度デバイス損失シミュレータを開発した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e541 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46397261349103,"sku":"IEEJ-ZT074009-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_a282f46a-af75-432f-92a1-e98eece1f48d.png?v=1744840494","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt074009","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}