{"product_id":"ieej-zt084072","title":"PSIMシミュレータを用いた昇圧コンバータの損失解析","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-072\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/03\/19\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLoss Analysis of Boost Converter Using PSIM\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003eルコヌッザマンエム (マイウェイ技研),伊東 洋一(マイウェイ技研),杉田 貴紀(マイウェイ技研)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eM Rukonuzzaman(Myway Labs Co. Ltd.),Youichi Ito(Myway Labs Co. Ltd.),Takanori Sugita(Myway Labs Co. Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e損失解析|昇圧コンバータ|半導体デバイス|パワーエレクトロニクス\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eパワ・エレ分野で半導体デバイスを選択する場合、デバイスの損失を推定する必要がある。通常、損失計算はデバイスの実際のv-i特性を考慮に入れないスプレッドシート分析で実行される。論文[1]で提案された損失計算のシミュレーション方法は、デバイスのv-i特性を使用するが，直接特性を計算結果に反映することができない。一方，デバイスメーカが提供する計算シートでは，v-i特性を考慮した計算が可能であるが，計算できる回路条件が限定されてしまい研究開発用途には向かない。しかし、PSIMシミュレータver.7から搭載された熱モジュール[2]を用いれば、上記の問題を解決でき，さらに従来のPSIMの特徴の一つであった高速性を失わない。そこで，本論文では，PSIM 熱モジュールの有用性を確認するため，昇圧チョッパにおいて，実験とシミュレーションにより損失解析を行い，両者の比較を行った。その結果，両者の誤差16%であり実用上問題ない範囲となったので，報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,225 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46397460971759,"sku":"IEEJ-ZT084072-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_38ce96ef-81c6-45f0-8410-0812dc523d6c.png?v=1744849621","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt084072","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}