{"product_id":"ieej-zt084160","title":"第6世代1200VトレンチFS-IGBTチップの開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-160\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/03\/19\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopment of 6th Generation 1200V Trench-Gate FS-IGBT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高橋 孝太(富士電機デバイステクノロジー),小野澤勇一 (富士電機デバイステクノロジー),大月正人 (富士電機デバイステクノロジー),井川 修(富士電機デバイステクノロジー)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003ekouta Takahashi(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.),Yuichi Onozawa(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.),Masahito Otsuki(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.),Osamu Ikawa(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eIGBT|トレンチ|EMI|FS\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e今回、トレンチFS (Field-Stop) IGBT(6)の、トレンチゲートの構造を新しくすることにより、これまでのゲート構造と比較して、例えばFWDの逆回復dv\/dtを10kV\/msecに揃えた場合のターンオン損失を約36%低減することに成功した。またドリフト層を薄くすることにより、オン電圧とターンオフ損失のトレードオフを20%改善することが出来た。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e2,168 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46397473390831,"sku":"IEEJ-ZT084160-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_fa9f72a8-3f7d-4e70-8830-24fd7010503d.png?v=1744850078","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt084160","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}