{"product_id":"ieej-zt084166","title":"GaN高電子移動度トランジスタにおけるスイッチング損失解析モデル","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-166\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/03\/19\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eAnalytical modeling of switching loss in GaN-HEMTs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中島 昭(産業技術総合研究所),高尾 和人(東芝),清水 三聡(産業技術総合研究所),奥村 元(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eAkira Nakajima(AIST),kazuto Takao(AIST),Mitsuaki Shimizu(AIST),Hajime Okumura(AIST),Hiromichi Ohashi(AIST)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN|hemt|等価回路|スイッチング損失\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本報告では、これまでSi素子で検証された素子損失モデルを、GaN高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）に適用したときの妥当性を、デバイスシミュレーションを用いて検証した。デバイスシミュレーションにより得られたスイッチング波形から求めた損失、およびデバイスシミュレーションにより抽出した等価回路パラメータを解析モデルに代入して計算した損失を比較した。その結果、両者は97%以上の精度で一致した。Si-MOSFETにおいて用いられる解析モデルは、GaN-HEMTにも応用できることが分かった。本研究結果から、Si素子で用いられてきた電力変換回路設計手法は、GaN素子にも適用可能であると考えられる。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,492 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46397474013423,"sku":"IEEJ-ZT084166-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_1693373e-6530-4dcb-b339-7f178c3573f2.png?v=1744850130","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt084166","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}