{"product_id":"ieej-zt113004","title":"非対称LDD構造の高耐圧SOI-CMOSプロセスに基づいた統合CBiCMOS回路方式の6段CMOSインバータ駆動","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e3-004\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLevel Shifters based on a Unified-CBiCMOS Circuit Scheme using High Breakdown Voltage SOI-CMOS Process of Asymmetric LDD Structure\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e門野 良男(近畿大学),秋濃俊郎 (近畿大学),江藤剛治 (近畿大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYoshio Monno(Kinki University),Toshiro Akino(Kinki University),takeharu Etoh(Kinki University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eCMOS|横型BJT|Unified-CBiCNOS|ファンアウト4\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e６段CMOSインバータの最終段に統合CBiCMOSを採用し、電源電圧が15Vで、2nFの大きな負荷容量を駆動する。① 2nFを最終負荷容量としたファンアウト４の６段CMOSインバータ回路と、② 統合CBiCMOSを①に付け加えた回路を設計する。本研究では、X-FAB社の非対称LDD構造の高耐圧SOI-CMOSプロセスを使用して、これらの回路を回路シミュレータで検証して評価する。回路シミュレーションのMOSFETと横型パイポーラのモデルパラメータは実測に合わせたものを使用し、遷移遅延が6%縮まる結果を得た。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,104 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46398741741807,"sku":"IEEJ-ZT113004-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_c3a1809f-15bb-43fe-8789-7ef811a11b08.png?v=1744877789","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt113004","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}