{"product_id":"ieej-zt114132","title":"SiCパワーデバイスを用いた380V直流給電用整流装置の高密度化に関する基礎検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-132\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eFundamental Study concerning Higher Density Rectifier with SiC Power Devices for 380V DC Distribution System\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e加賀 雅人(NTTファシリティーズ),林 祐輔(NTTファシリティーズ),三野 正人(NTTファシリティーズ)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasato Kaga(NTT Facilities,INC.),Yusuke Hayashi(NTT Facilities,INC.),Masato Mino(NTT Facilities,INC.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|PFC回路|HVDC\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e情報通信機器の消費電力増加や環境負荷低減の観点から、NTTグループは従来の48V直流給電に代わる380V直流給電（HVDC）を開発している。給電システムにおいて、電源には、大容量化・高密度化が求められており、本稿では、整流装置を構成するAC\/DCコンバータの高密度化について検討している。SiC-JFETとSiC-SBDを用いた三相フルブリッジコンバータの変換効率や体積を試算し、現行の単相力率改善回路(PFC)と比較を行った。その結果、直流平滑コンデンサの小型化や導通損失低減により、体積を最大で35％低減可能と試算された。従って、三相フルブリッジ回路が高密度化に有効であると考えられる。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,392 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46398775165167,"sku":"IEEJ-ZT114132-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_95da8aba-b8ce-416f-9fc1-0fa4e708d877.png?v=1744879324","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt114132","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}